一种采用低温退火制备非晶NiW合金薄膜的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310563319.0
IPC分类号：C22C45/04;C23C14/35;C23C14/58;C22F1/10
申请日期：
2013-11-11
申请人：
西安交通大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种采用低温退火制备非晶NiW合金薄膜的方法
申请号	CN201310563319.0	申请日期	2013-11-11
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2014-03-12	公开/公告号	CN103628004A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C22C45/04 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C22 冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理 C22C 合金（合金的处理入C21D、C22F） C22C45/00 非晶态合金〔5〕 C22C45/04 镍或钴作主要成分的〔5〕	IPC分类号	C;2;2;C;4;5;/;0;4;;;C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;5;8;;;C;2;2;F;1;/;1;0查看分类表>
申请人	西安交通大学	申请人地址	浙江省宁波市鄞州区姜山镇雁湖路721号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	宁波云涂科技有限公司	当前权利人	宁波云涂科技有限公司
发明人	黄平;王飞;陈自强;徐可为
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司	代理人	蔡和平

摘要

本发明公开了一种采用低温退火制备非晶NiW合金薄膜的方法，其是将磁控溅射沉积态的纳米晶NiW合金薄膜置于真空退火炉中低温退火制备出近乎完全非晶化的NiW合金薄膜。该方法简单、易行，避免了传统金属非晶材料制备方法所需的极大的淬火速度。该方法采用可靠的真空退火和双靶磁控溅射技术，可重复性高，可操作性强，成本低，易于在工业上实现和推广。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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