一种含磷化合物改性MoS2纳米片层的制备方法及其应用

发明专利无效专利

申请号：
CN201811567619.5
IPC分类号：C08K9/10;C08K9/04;C08K7/00;C08K3/30;C08K3/04;C08K5/3492;C08K13/06;C08L63/00
申请日期：
2018-12-20
申请人：
中国地质大学（武汉）

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种含磷化合物改性MoS2纳米片层的制备方法及其应用
申请号	CN201811567619.5	申请日期	2018-12-20
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2019-04-12	公开/公告号	CN109608697A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C08K9/10 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C08 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物 C08K 使用无机物或非高分子有机物作为配料（涂料、油墨、清漆、染料、抛光剂、黏合剂入C09）〔2〕 C08K9/00 使用预处理的配料（使用预处理的纤维状材料来制造含高分子物质的制品或成形材料入C08J 5/06）〔2〕 C08K9/10 包胶的配料〔2〕	IPC分类号	C;0;8;K;9;/;1;0;;;C;0;8;K;9;/;0;4;;;C;0;8;K;7;/;0;0;;;C;0;8;K;3;/;3;0;;;C;0;8;K;3;/;0;4;;;C;0;8;K;5;/;3;4;9;2;;;C;0;8;K;1;3;/;0;6;;;C;0;8;L;6;3;/;0;0查看分类表>
申请人	中国地质大学（武汉）	申请人地址	湖北省武汉市洪山区鲁磨路388号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国地质大学（武汉）	当前权利人	中国地质大学（武汉）
发明人	周克清;王曙光;吴自力;席巧兰;韩瑄
代理机构	武汉知产时代知识产权代理有限公司	代理人	金慧君

摘要

本发明涉及一种含磷化合物改性MoS2纳米片层的制备方法及其应用，属于聚合物纳米复合材料领域。本发明的改性方法主要是：通过溶剂热法用插层剂对层状二硫化钼进行插层处理后离心、洗涤并干燥，得到插层二硫化钼；将插层二硫化钼水解，得到二硫化钼悬浮液；将含磷化合物加入二硫化钼悬浮液中反应，将得到的产物离心、洗涤并干燥，即获得含磷化合物改性的二硫化钼纳米片层。本发明的改性方法工艺步骤简单，可操作性强，制备成本低；采用含磷化合物对层状二硫化钼进行表面改性，增大了其层间距，阻止了其在聚合物基体中重新团聚堆积，提高了分散性；可作为阻燃剂应用于聚合物复合材料中。

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