用于电阻开路缺陷的RAM地址译码器的测试

发明专利无效专利

申请号：
CN200480013820.9
IPC分类号：G11C29/00
申请日期：
2004-05-17
申请人：
皇家飞利浦电子股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	用于电阻开路缺陷的RAM地址译码器的测试
申请号	CN200480013820.9	申请日期	2004-05-17
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-06-21	公开/公告号	CN1791943
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C29/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C29/00 存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器〔1，8〕	IPC分类号	G;1;1;C;2;9;/;0;0查看分类表>
申请人	皇家飞利浦电子股份有限公司	申请人地址	荷兰艾恩德霍芬变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	NXP股份有限公司	当前权利人	NXP股份有限公司
发明人	M·阿兹曼
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	王波波

摘要

新测试图包括在矩阵内执行“非常小跳转”和“非常大跳转”。由行译码器控制“非常小跳转”以及具有敏化导致字线中的缓慢下降行为的电阻开路缺陷的效果。“非常小跳转”是指两个连续访问的存储器位置仍然在唯一子簇中直到已经测试那个子簇中的所有行为止，仍然在相同簇中直到已经测试那个簇中的所有行为止，仍然在相同U部中直到那个U部的所有行为止，并且最后仍然在相同Z块中直到已经测试那个Z块的所有行为止。“非常大跳转”用来覆盖导致缓慢上升行为的电阻开路缺陷的类，以及意图表示两个连续存储器访问必须永不保持在相同子簇中、相同簇或相同U部。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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