纳米级CMOS工艺下高线性度单位增益电压缓冲器

发明专利有效专利

申请号：
CN201911210887.6
IPC分类号：H03K19/0185
申请日期：
2019-12-02
申请人：
苏州大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	纳米级CMOS工艺下高线性度单位增益电压缓冲器
申请号	CN201911210887.6	申请日期	2019-12-02
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-02-14	公开/公告号	CN110798203A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03K19/0185 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03K 脉冲技术（脉冲特性测量入G01R；用脉冲调制正弦波振荡的入H03C；数字信息的传输入H04L；利用对振荡周期进行计数或积分来检定两个信号相位差的鉴别器电路入H03D 3/04；与发生器类型无关的或者并非特指的电子振荡发生器或脉冲发生器的自动控制、起振、同步或稳定入H03L；编码、一般译码或代码转换入H03M）〔4〕 H03K19/00 逻辑电路，即，至少有两个输入作用于一个输出的（用于应用模糊逻辑的计算机系统的电路入G06N 7/02）；倒向电路 H03K19/0175 耦合装置；接口装置（用于数字计算机的接口装置入G06F 3/00，G06F 13/00）〔5〕 H03K19/0185 仅使用场效应晶体管的〔5〕	IPC分类号	H;0;3;K;1;9;/;0;1;8;5查看分类表>
申请人	苏州大学	申请人地址	江苏省苏州市相城区济学路8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州大学	当前权利人	苏州大学
发明人	白春风;方晨;赵文翔;乔东海
代理机构	苏州翔远专利代理事务所（普通合伙）	代理人	陆金星

摘要

本发明公开了一种纳米级CMOS工艺下高线性度单位增益电压缓冲器，包括运算跨导放大器和源极跟随器；输入电压为下限时，第八NMOS管N8能够充分工作在饱和区，因而能够保证足够的环路增益；输入电压迫近电源电压时，第七PMOS管P7进入线性区，第七PMOS管P7的栅极电压急剧下降，但是只要没有下降到迫使第九NMOS管N9进入线性区，第六PMOS管P6的源极电压(即本发明的输出电压)就能够正常跟随栅极电压(即OTA的输出电压)的变化，进而就能够保证足够的环路增益；本发明的优点在于，能够在较宽输入电压范围内维持较高且恒定的环路增益，保障了较低的电压缓冲误差和非线性失真。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供