控制等离子体激励功率的等离子体处理方法和装置

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专利名称	控制等离子体激励功率的等离子体处理方法和装置
申请号	CN02811134.6	申请日期	2002-03-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2004-07-14	公开/公告号	CN1513198
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J37/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J37/00 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的（H01J 33/00、H01J 40/00、H01J 41/00、H01J 47/00、H01J 49/00优先）〔2，5〕 H01J37/32 充气放电管（放电加热的入H05B）	IPC分类号	H01J37/32;H01L21/762查看分类表>
申请人	拉姆研究有限公司	申请人地址	美国加利福*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	拉姆研究有限公司	当前权利人	拉姆研究有限公司
发明人	T·尼;F·林;C·－H·黄;W·江
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	张政权

摘要

提供到真空等离子体处理腔内的等离子体的RF功率量响应存储于计算机存储器中的信号以预编程为基础逐渐改变。计算机存储器存储信号从而在产生逐渐变化时其它处理腔参数(压强、气体种类和气流速率)保持恒定。所存储的信号使得蚀刻出倒圆的边角而非锐利的边缘，例如沟槽壁和底部的相交部。

喷附仪

实用新型