首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

一种氧化铝的多晶坩埚及制备法

发明专利无效专利

申请号：
CN201610211448.7
IPC分类号：C30B15/10;C30B29/06;B28B1/20
申请日期：
2016-04-07
申请人：
罗万前

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种氧化铝的多晶坩埚及制备法
申请号	CN201610211448.7	申请日期	2016-04-07
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2017-10-20	公开/公告号	CN107268074A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/10 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕 C30B15/10 承载熔融液的坩埚或容器〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;1;0;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6;;;B;2;8;B;1;/;2;0查看分类表>
申请人	罗万前	申请人地址	四川省成都市锦江区静安路5号桂苑21幢2门103号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	罗万前	当前权利人	罗万前
发明人	张洪齐
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

一种氧化铝的多晶坩埚及制备法，本坩埚由融熔成型的氧化铝多晶埚坯和C/C增強层组成；所述的C/C增強层包覆在前述埚坯的外表面上；埚坯在现有的电弧法石英玻璃坩埚制备机上制备而成。本埚坯耐熔融硅浸蚀，寿命长且减少晶体含氧量；而紧贴在一起的C/C增強层能有效的防止陶瓷突然碎裂而漏硅的问题。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供