一种选区外延生长Micro-LED芯片及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010723637.9
IPC分类号：H01L33/32;H01L33/08;H01L33/06;H01L33/36;H01L33/00;H01L27/15;G09F9/33
申请日期：
2020-07-24
申请人：
武汉大学

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著录项信息

专利名称	一种选区外延生长Micro-LED芯片及其制备方法
申请号	CN202010723637.9	申请日期	2020-07-24
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-30	公开/公告号	CN111864024A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/26 发光区的材料〔2010.01〕 H01L33/30 只包括周期体系中的III族和V族的元素〔2010.01〕 H01L33/32 含氮〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;3;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;8;;;H;0;1;L;3;3;/;0;6;;;H;0;1;L;3;3;/;3;6;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;7;/;1;5;;;G;0;9;F;9;/;3;3查看分类表>
申请人	武汉大学	申请人地址	湖北省武汉市武昌区八一路299号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉大学	当前权利人	武汉大学
发明人	周圣军;缪佳豪
代理机构	湖北武汉永嘉专利代理有限公司	代理人	李艳景

摘要

本发明公开了一种选区外延生长Micro‑LED芯片及其制备方法。为倒装芯片结构，从上到下依次设置有衬底、n‑GaN层、绝缘介质层和ITO透明导电层，其中：绝缘介质层设置有贯穿绝缘介质层的芯片外延层阵列，绝缘介质层单侧边缘处暴露出n‑GaN层，形成台面结构，表面设置n电极，ITO透明导电层表面设置p电极，p电极和n电极分别与目标基板固定连接。制备过程中，在绝缘介质层进行选择性刻蚀得到微孔阵列，在微孔中生长Micro‑LED芯片的外延层结构。该方法可以避免干法刻蚀Micro‑LED芯片外延结构过程中导致的表面损伤，且各个Micro‑LED通过绝缘介质层相互隔离，可防止串扰，提高显示效果。

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