首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

磁隧道结

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201621024551.2
IPC分类号：H01L43/08
申请日期：
2016-08-31
申请人：
鸿之微科技（上海）有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	磁隧道结
申请号	CN201621024551.2	申请日期	2016-08-31
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L43/08 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L43/00 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L43/08 磁场控制的电阻器〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;3;/;0;8查看分类表>
申请人	鸿之微科技（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区金海路1000号金领之都31号楼6层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	鸿之微科技（上海）有限公司	当前权利人	鸿之微科技（上海）有限公司
发明人	不公告
代理机构	上海一平知识产权代理有限公司	代理人	居瓅;李夫玲

摘要

本实用新型涉及磁性器件，公开了一种磁隧道结。在本实用新型的磁隧道结中，分别在自由层、参考层与绝缘层之间插入氧缓冲层，可以减少绝缘层与自由层、参考层界面处的缺陷，增大磁隧道结器件的隧穿磁电阻效应。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供