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半导体装置及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200610137367.3
  • IPC分类号:H01L29/739;H01L21/331
  • 申请日期:
    2006-10-20
  • 申请人:
    三菱电机株式会社
著录项信息
专利名称半导体装置及其制造方法
申请号CN200610137367.3申请日期2006-10-20
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2007-05-23公开/公告号CN1967868
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/739
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;1查看分类表>
申请人三菱电机株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三菱电机株式会社当前权利人三菱电机株式会社
发明人高桥英树
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人杨凯;刘宗杰
摘要
提供包含能够不增大二极管的VF地减小恢复电流的IGBT和二极管的半导体装置,其中包括:第1导电型的半导体衬底;在半导体衬底的第1主面侧形成的第1导电型的半导体层;在半导体层的第1主面侧形成的、与半导体衬底之间由半导体层隔离的第2导电型的基极层;从第1主面贯穿基极层而至少到达半导体层地形成的1对槽部;在槽部的内部设置的绝缘膜;隔着绝缘层在槽部内形成的栅极电极;在半导体衬底的第2主面侧形成的第1导电层的半导体层和第2导电型的半导体层;以及在基极层的第1主面侧沿槽部设置的发射极区,在内置控制流过基极层的电流的晶体管和二极管的半导体装置中,发射极区仅设在1对槽部所夹持的区域。

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