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一种高导热AlN电子陶瓷基片的生产方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200910227419.X
  • IPC分类号:C04B35/581;C04B35/622
  • 申请日期:
    2009-12-10
  • 申请人:
    洛阳理工学院;洛阳神佳窑业有限公司
著录项信息
专利名称一种高导热AlN电子陶瓷基片的生产方法
申请号CN200910227419.X申请日期2009-12-10
法律状态权利终止申报国家暂无
公开/公告日2010-06-09公开/公告号CN101723673A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/581IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;5;8;1;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2查看分类表>
申请人洛阳理工学院;洛阳神佳窑业有限公司申请人地址
河南省洛阳市洛龙区王城大道90号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人洛阳理工学院,洛阳神佳窑业有限公司当前权利人洛阳理工学院,洛阳神佳窑业有限公司
发明人王玉江;罗伟;蔡泽;张战营;刘东安
代理机构洛阳市凯旋专利事务所代理人陆君
摘要
本发明公开一种高导热AIN电子陶瓷基片的生产方法,所述的以AIN粉体为基本原料,选用合适的辅料、有机溶剂,形成混合粉料,进行成型、干燥、烧成等生产,具体生产工艺流程如下:配料:将AIN粉和烧结助剂按一定重量配比混合,溶于适量的有机溶剂中,置于圆形滚筒中;混合球磨:混合的粉料在转速为300~600rad/s的滚筒中球磨48~60小时;除泡过筛、流延成型、排胶、烧成;本发明生产的高导热AIN电子陶瓷基片可以用激光切割成各种所需形状和大小,并按照要求进行划线处理。具有生产工艺稳定、产品质量可靠、性能较好,并且适用于低成本生产的一种高导热AIN电子陶瓷基片的工业化生产方式。

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