一种半导体激光器外延结构及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110424174.0
IPC分类号：H01S5/20
申请日期：
2021-04-20
申请人：
苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司

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专利名称	一种半导体激光器外延结构及其制备方法
申请号	CN202110424174.0	申请日期	2021-04-20
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-20	公开/公告号	CN113140965A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/20 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/20 用于控制光波导的半导体的结构或形状〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;2;0查看分类表>
申请人	苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司	申请人地址	江苏省苏州市高新区昆仑山路189号科技城工业坊-A区2号厂房-1-102、2号厂房-2-203 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州长光华芯光电技术股份有限公司,苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司	当前权利人	苏州长光华芯光电技术股份有限公司,苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
发明人	王俊;王邦国;谭少阳;周立;廖新胜;闵大勇
代理机构	北京三聚阳光知识产权代理有限公司	代理人	李静玉

摘要

本发明公开了一种半导体激光器外延结构及其制备方法，该结构包括：相对设置的第一波导层和第二波导层、以及位于第一波导层和第二波导层之间的有源层；第一波导层包括：相对设置的第一波导膜层和第二波导膜层；位于第一波导膜层和第二波导膜层之间的横模调制层，第一横模调制层的折射率分别小于第一波导膜层的折射率和第二波导膜层的折射率。通过实施本发明，在第一波导层中设置第一横模调制层，第一横模调制层的折射率小于两侧波导膜层的折射率，由此，设置的横模调制层可以调制基膜及高阶模式分布，使得高阶模限制因子降低，抑制高阶模式激射，从而解决现有技术中半导体激光器件高阶模易激射的问题。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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