操作非易失性存储系统的存储系统电路及方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200380109302.2
IPC分类号：G11C29/00;G11C16/28;G11C8/12
申请日期：
2003-12-02
申请人：
桑迪士克股份有限公司

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著录项信息

专利名称	操作非易失性存储系统的存储系统电路及方法
申请号	CN200380109302.2	申请日期	2003-12-02
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2006-03-08	公开/公告号	CN1745433
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C29/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C29/00 存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器〔1，8〕	IPC分类号	G;1;1;C;2;9;/;0;0;;;G;1;1;C;1;6;/;2;8;;;G;1;1;C;8;/;1;2查看分类表>
申请人	桑迪士克股份有限公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	创新记忆系统公司	当前权利人	创新记忆系统公司
发明人	凯文·M·康利
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	刘国伟

摘要

由卡控制器将一非易失性存储器划分成若干个逻辑区，以便减小其用于地址变换的数据结构的大小。调整区界，以包容存储器测试所允许的缺陷从而提高卡的成品率并调整所述区域中的边界以延长所述卡的使用寿命。固件扫描在所述卡上是否存在缺陷块。一旦得知这些块的位置，所述固件便以一使好块均匀分布于各区中的方式来计算所述区界。由于存储器测试标准使好块的数量满足卡测试标准，因此缺陷将会减小卡成品率的下降。所述控制器可实施动态边界调整。在出现缺陷时，所述控制器可再次实施分析，并且，如果需要，重新分布区界，从而移动任何用户数据。

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