带有自动启动功能的集成电路

发明专利无效专利

申请号：
CN200480027728.8
IPC分类号：G05F3/30
申请日期：
2004-09-15
申请人：
ATMEL格勒诺布尔公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	带有自动启动功能的集成电路
申请号	CN200480027728.8	申请日期	2004-09-15
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-11-01	公开/公告号	CN1856757
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G05F3/30 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G05 控制；调节 G05F 调节电变量或磁变量的系统（调节雷达或无线电导航系统中脉冲计时或脉冲重复频率的入G01S；专用于电子计时器中电流或电压的调节入G04G 19/02；用电装置调节非电变量的闭环系统入G05D；数字计算机的调节电源入G06F1/26；用于得到有衔铁时的所需电磁铁工作特性入H01F 7/18；调节电功率的配电网络入H02J；调节电池充电的入H02J 7/00；静态变换器输出的调节，例如开关式调节器入H02M；电发生器输出的调节入H02N，H02P 9/00；变压器、电抗器、或扼流圈的控制入H02P 13/00；调节放大器的频率响应、增益、最大输出、振幅或带宽的入H03G；调节谐振电路调谐的入H03J；控制电子振荡器或脉冲发生器的入H03L；调节传输线路特性的入H04B；控制电光源的入H05B 37/02，H05B 39/04，H05B 41/36；X射线设备的电气控制入H05G 1/30）〔4，5〕 G05F3/00 应用具有自调节性能的非控制元件或非控制元件的组合来调节电变量的非回授系统 G05F3/02 调节电压或电流的 G05F3/08 其中变量是直流的 G05F3/10 利用具有非线性特性的非控制器件〔4〕 G05F3/16 非控制器件是半导体器件〔3〕 G05F3/20 应用了二极管与三极管的组合（G05F 3/18优先）〔3〕 G05F3/30 利用工作在不同电流密度下的两个双极型晶体管基一射极电压之间的差别的调节器（G05F 3/26优先）〔4〕	IPC分类号	G;0;5;F;3;/;3;0查看分类表>
申请人	ATMEL格勒诺布尔公司	申请人地址	法国圣埃格雷沃变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	E2V半导体公司	当前权利人	E2V半导体公司
发明人	让-弗朗索瓦·德布鲁
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	王英

摘要

本发明涉及集成电子电路，特别涉及那些包括模拟功能的集成电子电路。更具体而言，本发明涉及启动电路，该电路用于确保偏置电路(10)在其运行中的中断后的自动启动。在具有第一导电类型的集成电路衬底中，其中该衬底包括至少一个具有相反导电类型的阱和与该衬底具有相同导电类型的半导体区，该半导体区在所述阱中形成并且与所述阱形成了p-n结(J1)，该启动电路包括第一晶体管(P1)，或者用于检测偏置电路的运行状况的晶体管，其连接至偏置电路，以便当偏置电路正常运行时，它处于导通状态，并且当偏置电路非正常运行时，它处于关断状态，该晶体管与所述p-n结串联设置在两个电源端子(A和B)之间，所述半导体区连接至其中一个电源端子(B)，第一晶体管(P1)的漏极通过导体连接至所述阱，并连接至第二晶体管(P2)的栅极，或者重启动激活晶体管，通过导通第一晶体管，第二晶体管关断，并且当第一晶体管处于关断状态时，第二晶体管通过所述p-n结中的漏电流的存在而导通。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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