半导体器件

发明专利有效专利

申请号：
CN202010630657.1
IPC分类号：H01L23/528;H01L23/535;H01L23/48;H01L23/488;H01L23/498
申请日期：
2020-07-03
申请人：
英飞凌科技奥地利有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体器件
申请号	CN202010630657.1	申请日期	2020-07-03
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-01-05	公开/公告号	CN112185931A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/528 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕 H01L23/528 互连结构的布置〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;2;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;3;5;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;8;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;8查看分类表>
申请人	英飞凌科技奥地利有限公司	申请人地址	奥地利菲拉赫西门子大街2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英飞凌科技奥地利有限公司	当前权利人	英飞凌科技奥地利有限公司
发明人	O.布兰克;G.内鲍尔
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	暂无

摘要

公开了一种半导体器件。在一些实施例中，半导体器件包括半导体管芯，半导体管芯包括具有源极电极、漏极电极和栅极电极的竖向晶体管器件，半导体管芯具有第一表面和位于第一表面上的金属化结构。金属化结构包括在第一表面上的第一导电层、在第一导电层上的第一绝缘层、在第一绝缘层上的第二导电层、在第二导电层上的第二绝缘层和在第二绝缘层上的第三导电层。第三导电层包括耦合到源极电极的至少一个源极焊盘、耦合到漏极电极的至少一个漏极焊盘以及耦合到栅极电极的至少一个栅极焊盘。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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