一种与非门闪存及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910198585.1
IPC分类号：H01L27/115;H01L21/8247
申请日期：
2009-11-10
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	一种与非门闪存及其制造方法
申请号	CN200910198585.1	申请日期	2009-11-10
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2011-05-11	公开/公告号	CN102054841A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/115 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/105 包含场效应组件的〔5〕 H01L27/112 只读存储器结构的〔5〕 H01L27/115 电动编程只读存储器；其多步骤制造方法〔5，2006.01，2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;7查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
发明人	蒋莉;彭洪修;金钟雨
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	李丽

摘要

本发明提供一种与非门闪存及其制造方法，该与非门闪存包括多个闪存单元，其中每一个闪存单元包括衬底，于该衬底内形成有有源区；遂穿介质层，形成于所述衬底上；浮动栅，形成于所述遂穿介质层上；隔离沟槽；栅间介质层，覆盖于所述浮动栅和所述隔离沟槽上；控制栅，覆盖于所述栅间介质层；本发明提供的制造与非门闪存的方法，在形成隔离沟槽之后，形成栅间介质层步骤之前，增加隔离沟槽刻蚀步骤，移除隔离沟槽内一定高度的填充物，使隔离沟槽内填充物的上表面低于浮动栅的上表面。通过以上所述的技术方案，本发明提供的与非门闪存通过增加浮动栅和控制栅的重叠面积，增加耦合率，提高闪存器件的性能。

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