免封装压电驱动式微小型电场传感器

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专利名称	免封装压电驱动式微小型电场传感器
申请号	CN200710120281.4	申请日期	2007-08-15
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2009-02-18	公开/公告号	CN101368988
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R29/12 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R29/00 不包括在G01R 19/00至G01R 27/00各组中的电量的测量或指示装置 G01R29/12 静电场的测量	IPC分类号	G;0;1;R;2;9;/;1;2查看分类表>
申请人	中国科学院电子学研究所	申请人地址	北京市海淀区北四环西路19号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院电子学研究所	当前权利人	中国科学院电子学研究所
发明人	夏善红;叶超
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	周国城

摘要

本发明提出一种免封装压电驱动式微小型电场传感器，该传感器主要由压电驱动元件和感应导体构成，与传统机加工的电场传感器相比，它具有结构简单、成本低、功耗低的优点。与基于微机电技术(MEMS)的微型电场传感器相比，它具有敏感结构免封装，可靠性高的优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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