应用电容测量射频信号功率的射频功率传感器

发明专利无效专利

申请号：
CN03138453.6
IPC分类号：--
申请日期：
2003-04-16
申请人：
三星电子株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	应用电容测量射频信号功率的射频功率传感器
申请号	CN03138453.6	申请日期	2003-04-16
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-11-12	公开/公告号	CN1455261
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	沈东河;宋寅相;金永一;朴仙姬;弘荣泽;闵桐基
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	魏晓刚;李晓舒

摘要

应用电容测量射频信号功率的射频功率传感器包括：最好用半导体形成的基底，如，硅，或电介质材料构成，固定在基底上的固定部件构成用于传输射频信号的信号线及地线，以及跨越信号线连接在地线间的桥体，其中桥体受到外驱动力的作用，外驱动力在桥体与信号线之间感应电容。相应地，通过信号线与桥体之间的电容测量射频信号功率。射频功率传感器促进匹配，减少插入损耗，由于其基于传输线路所具有的特性阻抗，可以在非常宽频带中使用。根据对桥体所进行的设计还可对大功率进行测量。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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