一种用于碲镉汞器件增透膜层生长的装置

实用新型专利无效专利

申请号：
CN200920222432.1
IPC分类号：--
申请日期：
2009-09-08
申请人：
中国电子科技集团公司第十一研究所

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种用于碲镉汞器件增透膜层生长的装置
申请号	CN200920222432.1	申请日期	2009-09-08
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	中国电子科技集团公司第十一研究所	申请人地址	北京市朝阳区酒仙桥路4号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国电子科技集团公司第十一研究所	当前权利人	中国电子科技集团公司第十一研究所
发明人	孙浩;马涛;王成刚;朱西安
代理机构	信息产业部电子专利中心	代理人	郭禾

摘要

本实用新型公开了一种用于碲镉汞器件增透膜层生长的装置，所述装置包括：靶材，安装在增透膜层生长腔室的底部，并通过匹配箱与射频电源连接；样品托，安装在增透膜层生长腔室的顶部，所述样品托上设置有具有样品槽的内嵌式样品盘，所述样品槽外部设置有压片，所述压片中间设置有孔，孔的形状、大小与碲镉汞器件需要镀膜的区域一致，且所述压片上的孔与所述靶材上下对正。本实用新型通过上述装置对碲镉汞器件进行增透膜层生长，由于设置有压片，在需要保护的读出电路没有生长上增透膜层，保证了器件的电学连通，并且没有对探测器器件产生附加损伤，达到了良好的无损伤生长目的。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供