一种低温烧结SiO2基微波介质陶瓷材料及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810349604.5
IPC分类号：H01B3/12;C04B35/14;C04B35/622
申请日期：
2018-04-18
申请人：
常熟理工学院

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种低温烧结SiO2基微波介质陶瓷材料及其制备方法
申请号	CN201810349604.5	申请日期	2018-04-18
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-09-28	公开/公告号	CN108585809A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01B3/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01B 电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择（磁性材料的选择入H01F 1/00；波导管入H01P） H01B3/00 按绝缘材料的特性区分的绝缘体或绝缘物体；绝缘或介电材料的性能的选择 H01B3/02 主要由无机物组成的 H01B3/12 陶瓷	IPC分类号	H;0;1;B;3;/;1;2;;;C;0;4;B;3;5;/;1;4;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2查看分类表>
申请人	常熟理工学院	申请人地址	江苏省苏州市常熟市南三环路99号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	常熟理工学院	当前权利人	常熟理工学院
发明人	王哲飞;余磊;周杰;王大伟;王旭红;殷仕龙;姚霞喜
代理机构	南京苏高专利商标事务所（普通合伙）	代理人	张俊范

摘要

本发明公开了一种低温烧结SiO2基微波介质陶瓷材料，由以下质量比组分原料烧结制成：非晶SiO2粉末︰MgF2粉末︰MnCO3粉末＝1︰(0.05‑x)︰x，0.015≤x≤0.03，所述低温烧结SiO2基微波介质陶瓷材料的主物相是晶态SiO2。本发明还公开了低温烧结SiO2基微波介质陶瓷材料的制备方法，S1、按比例混合MgF2粉末和MnCO3粉末，并进行加热保温处理得到复合助烧剂粉末；S2、按比例混合复合助烧剂粉末与非晶SiO2粉末进行湿法球磨得到混合物；S3、烘干步骤S2获得的混合物并造粒压制成坯料，将坯料进行烧结得到陶瓷材料。本发明低温烧结SiO2基微波介质陶瓷材料原料来源广泛、制备方法简便，获得的陶瓷材料介电常数低，品质因数高，烧结温度低，可广泛应用于微波基板、导弹天线罩等微波器件的制造。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供