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一种低压VDMOS器件

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201621187877.7
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/06
  • 申请日期:
    2016-10-28
  • 申请人:
    佛山市蓝箭电子股份有限公司
著录项信息
专利名称一种低压VDMOS器件
申请号CN201621187877.7申请日期2016-10-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人佛山市蓝箭电子股份有限公司申请人地址
广东省佛山市禅城区古新路45号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人佛山市蓝箭电子股份有限公司当前权利人佛山市蓝箭电子股份有限公司
发明人张国光;王自鑫;郭建平;邱晓辉;张顺;姚剑锋;严向阳
代理机构佛山市禾才知识产权代理有限公司代理人刘羽波
摘要
一种低压VDMOS器件,包括N型衬底、外延层、P体区、N+源区、源极金属、栅氧化层和多晶硅层;N型衬底位于器件最底部,N型衬底设置有连接漏极的接口;外延层为“凹”型,且其设于N型衬底的上部,外延层的厚度为3.5μm,外延层的电阻率为0.1437Ω·cm;P体区设置于外延层的凹部的上表面;N+源区设于P体区的上部;源极金属位于N+源区的上部,源极金属设有连接源极的接口;多晶硅层设置于外延层凸部的上表面,多晶硅层设有连接栅极的接口;栅氧化层设于多晶硅层的下端。本实用新型通过降低外延层的电阻率、外延层厚度、减小元胞尺寸等方法,从而达到减少工艺步骤和生产成本,同时满足设计要求。

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