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形貌可控的氧化铟纳米晶的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710044191.1
  • IPC分类号:C30B7/00;C30B7/14;C30B29/16
  • 申请日期:
    2007-07-25
  • 申请人:
    中国科学院上海硅酸盐研究所
著录项信息
专利名称形貌可控的氧化铟纳米晶的制备方法
申请号CN200710044191.1申请日期2007-07-25
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-01-23公开/公告号CN101109100
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C30B7/00IPC分类号C;3;0;B;7;/;0;0;;;C;3;0;B;7;/;1;4;;;C;3;0;B;2;9;/;1;6查看分类表>
申请人中国科学院上海硅酸盐研究所申请人地址
上海市长宁区定西路1295号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院上海硅酸盐研究所当前权利人中国科学院上海硅酸盐研究所
发明人曾宇平;储德韦;江东亮
代理机构上海智信专利代理有限公司代理人潘振甦
摘要
一种形貌可控的氧化铟纳米晶的制备方法,其特征在于以铟的化合物的甲醇或乙醇溶液为前驱体,在含NaOH或KOH的甲醇或乙醇溶液中醇解,然后醇解后的悬浮液放入反应釜中通过醇热反应制成;所述的前驱体中铟的质量百分浓度为0.5-10%,或前驱体中掺杂质量百分量为0.1-10at%,过渡金属离子分别制成不掺杂或掺杂氧化铟纳米晶,纳米晶呈纳米立方块或纳米棒,产率高达80%。掺杂In2O3显示出的磁性能可用掺杂量、醇热时间和温度调节。

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