CMP研磨剂及基板的研磨方法

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专利名称	CMP研磨剂及基板的研磨方法
申请号	CN200710096425.7	申请日期	2003-08-06
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2007-09-05	公开/公告号	CN101029214
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C09K3/14 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C09 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用 C09K 不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用 C09K3/00 不包含在其他类目中的材料〔2〕 C09K3/14 防滑材料；研磨材料（含高分子物质的磨料或摩擦体或者成型磨料的制造入C08J 5/14）〔4〕	IPC分类号	C;0;9;K;3;/;1;4;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;4查看分类表>
申请人	日立化成工业株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日立化成工业株式会社	当前权利人	日立化成工业株式会社
发明人	芳贺浩二;大槻裕人;仓田靖;榎本和宏
代理机构	北京银龙知识产权代理有限公司	代理人	钟晶

摘要

一种CMP研磨剂以及使用该研磨剂研磨基板的被研磨面的基板的研磨方法，该研磨剂含有氧化铈颗粒、具有炔键(碳-碳三键)的有机化合物及水。本发明在使半导体装置制造过程中的层间绝缘膜及浅沟隔离用绝缘膜等平坦化的CMP(化学机械抛光)技术中，可进行有效率且高速的研磨。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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