一种MOCVD反应室

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201920738382.6
IPC分类号：C23C16/455;C23C16/46;C23C16/458
申请日期：
2019-05-22
申请人：
山东浪潮华光光电子股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种MOCVD反应室
申请号	CN201920738382.6	申请日期	2019-05-22
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/455 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/44 以镀覆方法为特征的（C23C 16/04优先）〔4〕 C23C16/455 向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法〔7〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;4;5;5;;;C;2;3;C;1;6;/;4;6;;;C;2;3;C;1;6;/;4;5;8查看分类表>
申请人	山东浪潮华光光电子股份有限公司	申请人地址	山东省潍坊市高新区金马路9号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	山东浪潮华光光电子股份有限公司	当前权利人	山东浪潮华光光电子股份有限公司
发明人	刘永明;马旺;李毓锋;王成新
代理机构	济南金迪知识产权代理有限公司	代理人	许德山

摘要

本实用新型涉及一种解决GaN基LED外延片生长翘曲过大的MOCVD反应室，包括上盖、侧壁、底盖、喷头、托盘，所述底盖上设置有尾气出口，所述底盖上还设置有所述托盘，所述侧壁内设置有所述喷头，所述上盖内向下设置有顶部加热器，所述底盖上设置有两个底部加热器，两个所述底部加热器位于尾气出口的两侧，所述底部加热器位于所述托盘与所述底盖之间。通过顶部加热器、底部加热器实现MOCVD反应室内上下同时加热，避免了单面加热时造成的热应力不同引起的翘曲。只需要调节顶部加热器、底部加热器的温度，即可调节外延表面的凹凸，避免调整长速、厚度造成的电参数波动。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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