一种TFT基板的制作方法、TFT基板及光罩

发明专利有效专利

申请号：
CN201710261622.3
IPC分类号：H01L27/12
申请日期：
2017-04-20
申请人：
深圳市华星光电技术有限公司

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著录项信息

专利名称	一种TFT基板的制作方法、TFT基板及光罩
申请号	CN201710261622.3	申请日期	2017-04-20
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2017-08-22	公开/公告号	CN107086219A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/12 其衬底为非半导体的，例如为绝缘体的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;2查看分类表>
申请人	深圳市华星光电技术有限公司	申请人地址	广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	TCL华星光电技术有限公司	当前权利人	TCL华星光电技术有限公司
发明人	高冬子
代理机构	深圳市威世博知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	钟子敏

摘要

本申请公开了一种TFT基板的制作方法、TFT基板及光罩。该方法包括：获得包括第一部分及位于第一部分侧边的第二部分，且铺设于TFT基板上的光阻层；刻蚀位于光阻层下的TFT基板的第一金属层；且使光阻层的第一部分不突出于所述刻蚀后的第一金属层的侧边；以光阻层的第一部分为掩膜，刻蚀第一金属层下的半导体层，以使半导体层的侧边不突出于刻蚀后的金属层的侧边。通过该方法可以明显减少半导体层的裸露，从而能够提高TFT基板的可靠性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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