一种光器件的检漏方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110148484.4
IPC分类号：G01M3/20
申请日期：
2021-02-03
申请人：
武汉英飞光创科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种光器件的检漏方法
申请号	CN202110148484.4	申请日期	2021-02-03
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-25	公开/公告号	CN113029460A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01M3/20 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01M 机器或结构部件的静或动平衡的测试；其他类目中不包括的结构部件或设备的测试 G01M3/00 结构部件的流体密封性的测试 G01M3/02 应用流体或真空 G01M3/04 通过在漏泄点检测流体的出现 G01M3/20 应用特殊示踪物质，例如染料、荧光材料、放射性材料	IPC分类号	G;0;1;M;3;/;2;0查看分类表>
申请人	武汉英飞光创科技有限公司	申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区流芳大道52号凤凰产业园（武汉.中国光谷文化创意产业园）E地块5幢1层（1）厂房（2）厂房2层（1）厂房（2）厂房3层（1）厂房4层（1）厂房（2）厂房变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉英飞光创科技有限公司	当前权利人	武汉英飞光创科技有限公司
发明人	唐永正
代理机构	北京汇泽知识产权代理有限公司	代理人	徐瑛

摘要

本发明提供一种光器件的检漏方法，包括：对待检漏的光器件充氦气；将待检漏的光器件放入氦质谱检漏仪中检测漏率并记下漏率；判断待检漏的光器件的漏率是否大于等于预定值，当待检漏的光器件的漏率小于预定值时，则判定待检漏的光器件检漏通过，当待检漏的光器件的漏率大于等于预定值时，则判定待检漏的光器件检漏不通过；其中，预定值为同一光器件在不封盖时在相同条件下测得的漏率值。本发明提供中光器件的检漏方法相较于传统的需要进行细漏和粗漏两次检测的检漏方式而言，只需要一次充氦气和一次检测就能将漏气的光器件检测出来，工艺流程更简单，效率更高。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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