一种串并联瓷介电容器组

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201820582051.3
IPC分类号：H01G4/38;H01G4/12
申请日期：
2018-04-23
申请人：
成都宏明电子科大新材料有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种串并联瓷介电容器组
申请号	CN201820582051.3	申请日期	2018-04-23
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01G4/38 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01G 电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件（电介质专用材料的选择入H01B 3/00；电位跃迁或表面阻挡层的电容器入H01L 29/00） H01G4/00 固定电容器；及其制造方法（电解电容器入H01G 9/00）〔2〕 H01G4/38 多联电容器，即固定电容器的结构组合〔2〕	IPC分类号	H;0;1;G;4;/;3;8;;;H;0;1;G;4;/;1;2查看分类表>
申请人	成都宏明电子科大新材料有限公司	申请人地址	四川省成都市经济技术开发区（龙泉驿）星光中路20号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	成都宏科电子科技有限公司	当前权利人	成都宏科电子科技有限公司
发明人	张瑞强;林广;杨航;赵军胜;杨海涛;曲明山;黄振娟
代理机构	成都睿道专利代理事务所（普通合伙）	代理人	潘育敏

摘要

本实用新型公开了一种串并联瓷介电容器组，包括第一多层瓷介电容芯片组、第二多层瓷介电容芯片组、第一引线、第二引线及第三引线；第一多层瓷介电容芯片组与第二多层瓷介电容芯片组通过焊料串联焊接于第一引线；第一多层瓷介电容芯片组远离第一引线的端部通过焊料焊接第二引线，第二多层瓷介电容芯片组远离第一引线的端部通过焊料焊接第三引线；第一多层瓷介电容芯片组包括通过焊料并联焊接的第一多层瓷介电容芯片及第二多层瓷介电容芯片；第二多层瓷介电容芯片组包括通过焊料并联焊接的第三多层瓷介电容芯片及第四多层瓷介电容芯片；本实用新型增加了产品的结构适应性，使其可以在特殊的安装环境中使用，引线伸出便于用户安装。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供