半导体器件的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310041862.4
IPC分类号：H01L27/11521;H01L27/11526
申请日期：
2013-02-01
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体器件的制备方法
申请号	CN201310041862.4	申请日期	2013-02-01
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-08-06	公开/公告号	CN103972176A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/11521 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/105 包含场效应组件的〔5〕 H01L27/112 只读存储器结构的〔5〕 H01L27/115 电动编程只读存储器；其多步骤制造方法〔5，2006.01，2017.01〕 H01L27/11517 具有浮栅的〔2017.01〕　 H01L27/11521 以存储器核心区为特征的（三维布置H01L 27/11551）〔2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;2;1;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;2;6查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
发明人	代洪刚;李俊;张学海;施平
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	屈蘅;李时云

摘要

本发明揭示了一种半导体器件的制备方法，该制备方法包括：提供基底，所述基底包含第一器件区以及第二器件区，所述第一器件区至少具有一非易失存储单元，所述非易失存储单元的栅极周围的所述第一器件区的表面具有因制备所述非易失存储单元的氮墙而形成的第一氮化物层，所述第二器件区具有自下至上依次层叠的第二器件氧化物层和第二器件多晶硅层；在所述基底上制备抗反射涂层；选择性刻蚀所述抗反射涂层和所述第二器件多晶硅层，以形成第二器件栅极；去除剩余的所述抗反射涂层和所述第一氮化物层。本发明的制备方法能够保证减少或避免在制备过程中对器件的损伤，从而提高良率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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