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一种单分子层氧化钛量子点半导体墨水的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310492944.0
  • IPC分类号:C09D11/02;C01G23/047;B82Y40/00
  • 申请日期:
    2013-10-18
  • 申请人:
    上海交通大学
著录项信息
专利名称一种单分子层氧化钛量子点半导体墨水的制备方法
申请号CN201310492944.0申请日期2013-10-18
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-02-05公开/公告号CN103555048A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C09D11/02IPC分类号C;0;9;D;1;1;/;0;2;;;C;0;1;G;2;3;/;0;4;7;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人上海交通大学申请人地址
上海市闵行区东川路800号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海交通大学当前权利人上海交通大学
发明人胡国新;高寒阳;朱坤旭
代理机构上海科盛知识产权代理有限公司代理人蒋亮珠
摘要
本发明涉及一种单分子层氧化钛量子点半导体墨水的制备方法,其包括以下制备步骤:以商用P25粉末与NaOH溶液混合,在水热反应釜中水热合成出钛酸盐纳米管;加盐酸,进行H+与Na+置换,得到钛酸纳米管;用去离子水清洗至溶液的pH值为7后,再将其重新分散在设定的溶液中;送入内部耦合有超声波换能器的超临界反应釜装置中,在设定的操作条件下反应一定时间,然后将物料送入冷却器中;快速冷却至常温;快速喷入到溶液罐内;用渗析、离心或膜过滤的方法去除粗颗粒,得到单分子层氧化钛量子点;分散在溶液中,配置成可喷墨打印的半导体墨水。与现有技术相比,本发明具有工艺简单、原料易得等优点。

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