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CaCu3Ti4O12陶瓷的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110045041.9
  • IPC分类号:C04B35/462;C04B35/622
  • 申请日期:
    2011-02-24
  • 申请人:
    西北工业大学
著录项信息
专利名称CaCu3Ti4O12陶瓷的制备方法
申请号CN201110045041.9申请日期2011-02-24
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2011-09-07公开/公告号CN102173781A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/462IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;4;6;2;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2查看分类表>
申请人西北工业大学申请人地址
陕西省西安市友谊西路127号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西北工业大学当前权利人西北工业大学
发明人郑茜;樊慧庆
代理机构西北工业大学专利中心代理人黄毅新
摘要
本发明公开了一种CaCu3Ti4O12陶瓷的制备方法,用于解决现有的方法制备的CaCu3Ti4O12陶瓷介电损耗高的技术问题。技术方案是采用流延工艺制备CCTO陶瓷薄片,然后采用两步烧结工艺,获得了结构致密、粒径均匀的陶瓷材料,同时从CCTO陶瓷的介电常数εr和介电损耗tanδ随测试频率和温度的变化规律,发现CCTO结晶完整性、晶界及缺陷等对其高介电常数的大小有直接的影响作用。而且在常温,1KHz下,当烧结温度在1025℃~1100℃保温10h时,本发明两步烧结所得CCTO陶瓷的εr为104,这与文献报道的值相差不大,而介电损耗由背景技术的0.3~0.6降至0.03,这说明了采用两步烧结法使氧空位浓度降低,从而显著减弱了陶瓷的高温低频耗散,随着保温时间的增加,晶格畸变也逐渐减少。

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