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一种高密度纳米硅阻变存储器及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201810156183.4
  • IPC分类号:H01L45/00;B82Y10/00;B82Y30/00;B82Y40/00
  • 申请日期:
    2018-02-14
  • 申请人:
    南京大学
著录项信息
专利名称一种高密度纳米硅阻变存储器及其制备方法
申请号CN201810156183.4申请日期2018-02-14
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2019-08-23公开/公告号CN110165047A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L45/00IPC分类号H;0;1;L;4;5;/;0;0;;;B;8;2;Y;1;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人南京大学申请人地址
江苏省南京市栖霞区仙林大道163号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南京大学当前权利人南京大学
发明人马忠元;孙杨;谭定文
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明涉及一种高密度纳米硅阻变存储器,属于非挥发性存储器技术领域。该存储器的特征在于:纳米硅基阻变层由高密度含氢纳米硅阻变层作为中间层,上下两层为相同同化学配比的含氢富碳碳化硅薄膜,阻变层上表面的条形电极和下表面的条形电极互相垂直;本发明与当前的微电子工艺技术相兼容,通过含氢纳米硅薄膜的化学配比调控,从而调节构成阻变存储器导电通道的密度,进而达到免电激活的功能,使纳米硅基阻变存储器可切实应用于未来的硅基纳米存储器件中。

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