应用于N型晶体硅太阳能电池的背场铝浆及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310491233.1
IPC分类号：H01B1/22;H01B13/00
申请日期：
2013-10-18
申请人：
南通天盛光伏科技有限公司

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专利名称	应用于N型晶体硅太阳能电池的背场铝浆及其制备方法
申请号	CN201310491233.1	申请日期	2013-10-18
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2014-01-01	公开/公告号	CN103489502A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01B1/22 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01B 电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择（磁性材料的选择入H01F 1/00；波导管入H01P） H01B1/00 按导电材料特性区分的导体或导电物体；用作导体的材料选择（按材料特性区分的超导或高导导体、电缆或传输线入H01B 12/00）〔4〕 H01B1/20 分散在不导电的有机材料中的导电材料〔3〕 H01B1/22 包含金属或合金的导电材料〔3〕	IPC分类号	H;0;1;B;1;/;2;2;;;H;0;1;B;1;3;/;0;0查看分类表>
申请人	南通天盛光伏科技有限公司	申请人地址	江苏省南通市经济技术开发区吉庆路28号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南通天盛新能源股份有限公司	当前权利人	南通天盛新能源股份有限公司
发明人	朱鹏;陈卫明
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种应用于N型晶体硅太阳能电池的背场铝浆及其制备方法，由下列重量份数的各组份组成：氮气雾化铝粉65～85份、有机粘结剂15～30份、玻璃粉0.5～3份、助剂0.5～3份，所述氮气雾化铝粉为球形铝粉中位径D50：1.0～2.5μm，D90：2.25～5.0μm，跨度：1.25～1.7，铝粉为含量大于99.9%的球形铝粉。本发明克服了现有P型晶体硅在地面应用中仍然存在衰减的问题，提供了可用于铝背发射极N型太阳电池的背场铝浆，可提高晶体硅的少子寿命，以及减少光致衰减现象。本发明组份配比合理、制备工艺简单、制备的铝浆与N型衬底的附着力强，烧结制备的铝背场具有高掺杂、均匀性好、耐水煮和低翘曲等优点，适于工业化生产。

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