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一种补偿直流自偏压的系统和方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200910077914.7
  • IPC分类号:H02J1/00;G05F1/46;H05H1/46
  • 申请日期:
    2009-02-03
  • 申请人:
    北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
著录项信息
专利名称一种补偿直流自偏压的系统和方法
申请号CN200910077914.7申请日期2009-02-03
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2010-08-04公开/公告号CN101794990A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H02J1/00IPC分类号H;0;2;J;1;/;0;0;;;G;0;5;F;1;/;4;6;;;H;0;5;H;1;/;4;6查看分类表>
申请人北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司申请人地址
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京北方华创微电子装备有限公司当前权利人北京北方华创微电子装备有限公司
发明人宗令蓓
代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司代理人张天舒;陈源
摘要
本发明公开一种补偿直流自偏压的系统,包括下电极、直流电源、检测模块和控制模块,其中,检测模块用于检测与等离子体处理设备中的直流自偏压存在对应关系的表征参量,并将其测量值传输至控制模块;控制模块根据该测量值产生第一控制信号,并将其传输至直流电源;直流电源根据第一控制信号调整其输出电压,以对直流自偏压进行补偿,从而减小/消除工件上直流自偏压的影响。此外,本发明还公开一种补偿直流自偏压的方法。本发明提供的系统和方法能够对直流自偏压进行实时补偿,因此,既可以提高直流自偏压的补偿精度,又可以使静电夹持装置能够更好地吸附晶片等工件,并且还可以减小氦气漏率、改善工艺结果,进而提高产品良率。

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