一种蓝宝石等离子刻蚀负载效应的图形修饰方法及系统

发明专利有效专利

申请号：
CN201810693573.5
IPC分类号：H01L21/02;H01L21/027;G06F30/17
申请日期：
2018-06-29
申请人：
山东元旭光电股份有限公司

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著录项信息

专利名称	一种蓝宝石等离子刻蚀负载效应的图形修饰方法及系统
申请号	CN201810693573.5	申请日期	2018-06-29
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2018-12-18	公开/公告号	CN109037029A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;7;;;G;0;6;F;3;0;/;1;7查看分类表>
申请人	山东元旭光电股份有限公司	申请人地址	山东省潍坊市高新区玉清街以北银枫路以西光电园第三加速器西区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	元旭半导体科技股份有限公司	当前权利人	元旭半导体科技股份有限公司
发明人	许南发;席庆男;王晓慧;郭文平
代理机构	济南诚智商标专利事务所有限公司	代理人	杨筠

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，提供一种蓝宝石等离子刻蚀负载效应的图形修饰方法及系统，方法包括：对选取的常规形状的掩膜进行ICP刻蚀，建立ICP掩膜图形工艺调整规则；根据建立的ICP掩膜图形工艺调整规则以及目标图形掩膜的参数要求，计算常规形状的掩膜与所述目标图形掩膜之间的补偿参数；根据计算得到的所述补偿参数，以选取的常规形状的掩膜为基础，设计生成符合目标图形的掩膜，从而实现对掩膜刻蚀后，掩膜的形状符合预先设置的目标图形形状，提高散射效果，进一步提高蓝宝石的发光度，提升产品品质。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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