一种生长立方织构三氧化二钇膜层的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200610089044.1
IPC分类号：C23C14/35C23C14/54C23C14/08
申请日期：
2006-07-31
申请人：
北京有色金属研究总院

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专利名称	一种生长立方织构三氧化二钇膜层的方法
申请号	CN200610089044.1	申请日期	2006-07-31
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2008-02-06	公开/公告号	CN101117702
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/35 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕 C23C14/35 利用磁场的，例如磁控溅射〔5〕	IPC分类号	C23C14/35;C23C14/54;C23C14/08查看分类表>
申请人	北京有色金属研究总院	申请人地址	北京市怀柔区雁栖经济开发区兴科东大街*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	有研工程技术研究院有限公司	当前权利人	有研工程技术研究院有限公司
发明人	屈飞;杨坚;刘慧舟
代理机构	北京北新智诚知识产权代理有限公司	代理人	程凤儒

摘要

一种生长立方织构氧化钇膜层的方法，包括：(1)将具有立方织构的金属衬底，或具有立方结构或赝立方结构的单晶衬底进行清洁处理；(2)清洗后的上述衬底置于磁控溅射沉积腔体中，抽真空至腔体的背底真空小于或等于5×10-4Pa。将衬底加热至500-820℃，再充氩气至腔体气压1×10-1Pa-8×10-1Pa。以Y金属为溅射靶材，采用直流磁控溅射沉积方法，开始预溅射；(3)预溅射20分钟后，通入水气，使沉积腔体内的水含量控制在1×10-3-8×10-3Pa，，并调控制沉积腔体内压力至1Pa-5Pa，开始正式溅射沉积，沉积完后，即得氧化钇膜。所制得的氧化钇隔离层具有单一立方织构，以满足在其上外延生长其它隔离层并生长YBCO涂层的需要。

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一种生长立方织构三氧化二钇膜层的方法

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