一种新型n‑type热电材料NbVTaCoSb及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201510788082.5
IPC分类号：H01L35/18;H01L35/34
申请日期：
2015-11-17
申请人：
西华大学

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专利名称	一种新型n‑type热电材料NbVTaCoSb及其制备方法
申请号	CN201510788082.5	申请日期	2015-11-17
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2016-01-13	公开/公告号	CN105244435A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L35/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L35/00 包含有一个不同材料结点的热电器件，即显示出具有或不具有其他热电效应或其他热磁效应的Seebeck效应或Peltier 效应的热电器件；专门适用于制造或处理这些热电器件或其部件的方法或设备；这些热电器件的零部件（由一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L35/12 结点引出线材料的选择〔2〕 H01L35/14 应用无机合成物的〔2〕 H01L35/18 包含有砷或锑或铋的（H01L 35/16优先）〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;5;/;1;8;;;H;0;1;L;3;5;/;3;4查看分类表>
申请人	西华大学	申请人地址	四川省成都市金牛区金周路999号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西华大学	当前权利人	西华大学
发明人	黄丽宏;张勤勇;任志锋
代理机构	成都华风专利事务所（普通合伙）	代理人	徐丰

摘要

本发明涉及半导体热电材料领域，尤其是一种新型n‑type热电材料NbVTaCoSb及其制备方法，一种新型n‑type热电材料NbVTaCoSb，其化学式为：Nb(1‑x)/2V(1‑x)/2TaxCoSb，其中x=0.05～0.4。按照化学式所示摩尔比选取各金属粉末通过混料冷压、真空密封、固态烧结、固块磨粉、快速热压制成或者按照化学式所示摩尔比选取各金属原料，其中考虑Sb的烧损率为5～10%，通过电弧熔炼、固块磨粉、快速热压制成，产品热导率低，Seebeck系数高，热电性能好、高温稳定性好、机械性能好，同时制备工艺简单，生产周期短，生产效率高、原料价格低廉。

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