单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200710062978.0
IPC分类号：--
申请日期：
2007-01-24
申请人：
中国科学院半导体研究所

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法
申请号	CN200710062978.0	申请日期	2007-01-24
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-07-30	公开/公告号	CN101232050
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	王晓亮;肖红领;杨翠柏;胡国新;冉学军;王翠梅;张小宾;李建平;李晋闽
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	汤保平

摘要

一种单结铟镓氮太阳能电池结构，其特征在于，其中包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮化镓成核层制作在衬底的上面，该成核层可增加衬底表面的成核密度；一非有意掺杂氮化镓缓冲层，该非有意掺杂氮化镓缓冲层制作在低温氮化镓成核层的上面，该缓冲层可减少外延层的缺陷密度，提高晶体质量；一n型掺杂InxGa1-xN层，该n型掺杂InxGa1-xN层制作在非有意掺杂高阻氮化镓缓冲层的上面，该n型掺杂层是InxGa1-xN p-n结的一部分；一p型掺杂InxGa1-xN层，该p型掺杂InxGa1-xN层制作在n型掺杂InxGa1-xN层的上面，该p型掺杂层是InxGa1-xN p-n结的一部分。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供