片式熔断器和片式熔断器的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201280075996.1
IPC分类号：H01H85/02;H01H37/76
申请日期：
2012-09-28
申请人：
釜屋电机株式会社

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著录项信息

专利名称	片式熔断器和片式熔断器的制造方法
申请号	CN201280075996.1	申请日期	2012-09-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-07-29	公开/公告号	CN104813433A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01H85/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01H 电开关；继电器；选择器；紧急保护装置（接触电缆入H01B7/10；电解式自断续器入H01G9/18；紧急保护电路装置入H02H；无触点电子开关入H03K17/00） H01H85/00 电流通过其可熔材料的部分，当此电流过大时，由于可熔材料的熔断而使电流中断的保护装置（由可熔材料的熔化而动作的开关入H01H 37/76；在配电盘上熔断器的配置或安装入H02B 1/18） H01H85/02 零部件	IPC分类号	H;0;1;H;8;5;/;0;2;;;H;0;1;H;3;7;/;7;6查看分类表>
申请人	釜屋电机株式会社	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	釜屋电机株式会社	当前权利人	釜屋电机株式会社
发明人	山岸克哉;清野英树
代理机构	北京信慧永光知识产权代理有限责任公司	代理人	鹿屹;李雪春

摘要

本发明提供片式熔断器和片式熔断器的制造方法，目的在于实现外观的维持和减少持续电弧等断路性能的提高。在所述片式熔断器(21)中，在绝缘基板(22)上形成蓄热层(23)，在所述蓄热层上形成由片式熔断器长度方向两侧的表面电极部(24a)和上述表面电极部之间的熔断器要素部(24b)构成的熔断器膜，并在熔断器要素部上形成有保护膜，其中，以包围熔断器要素部周围的方式在蓄热层上和表面电极部上形成矩形的堤部(27)，并在堤部的内侧形成第一保护膜(28)。此外，在堤部形成工序中，通过在熔断器要素部上、表面电极部上和蓄热层上粘贴片状的含有光敏基团的材料，并对所述片状的含有光敏基团的材料用紫外线曝光显影(光刻)，来形成矩形的堤部。

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