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载置台、基板处理装置以及边缘环

发明专利有效专利

申请号：
CN201980004510.7
IPC分类号：H01L21/3065;H01L21/683;H05H1/46
申请日期：
2019-05-29
申请人：
东京毅力科创株式会社

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	载置台、基板处理装置以及边缘环
申请号	CN201980004510.7	申请日期	2019-05-29
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-05-01	公开/公告号	CN111095498A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/3065 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/302 改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割〔2〕 H01L21/306 化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L 21/31；绝缘层的后处理入H01L 21/3105）〔2〕 H01L21/3065 等离子腐蚀；活性离子腐蚀〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;5;;;H;0;1;L;2;1;/;6;8;3;;;H;0;5;H;1;/;4;6查看分类表>
申请人	东京毅力科创株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东京毅力科创株式会社	当前权利人	东京毅力科创株式会社
发明人	佐佐木康晴;坪井恭;加藤智也;松山昇一郎
代理机构	北京林达刘知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘新宇;张会华

摘要

提供一种载置台，其是用于载置被实施等离子体处理的基板的载置台，其中，该载置台具有：静电卡盘，其吸附被配置于所述基板的周边的边缘环和该基板；和供给孔，其用于向所述静电卡盘与所述边缘环之间供给热介质，在所述边缘环和所述载置台中的至少任一者设置有槽，所述槽不与所述供给孔连通。

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