沟槽型‑垂直式双扩散金氧半晶体管结构及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410044043.X
IPC分类号：H01L27/02;H01L21/8238
申请日期：
2014-01-29
申请人：
竹懋科技股份有限公司;金勤海

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专利名称	沟槽型‑垂直式双扩散金氧半晶体管结构及其制造方法
申请号	CN201410044043.X	申请日期	2014-01-29
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2014-12-24	公开/公告号	CN104241268A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;8查看分类表>
申请人	竹懋科技股份有限公司;金勤海	申请人地址	中国台湾新竹县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	竹懋科技股份有限公司,金勤海	当前权利人	竹懋科技股份有限公司,金勤海
发明人	金勤海
代理机构	北京三友知识产权代理有限公司	代理人	汤在彦

摘要

一种沟槽型‑垂直式双扩散金氧晶体管结构及其制造方法，其结构包含:多个沟渠平行形成于n‑外延层内，沟渠氧化层形成于沟渠底部及侧壁，一导电性第一多晶硅层形成于渠内，再被一第一氧化层所填满；一平面栅极氧化层形成于平台上；一导电性第二多晶硅层形成于平面栅极氧化层上，第二多晶硅层及其下的平面栅极氧化层被图案化，以形成垂直于沟渠走向的多列MOS结构；一内金属介电层形成于上述结果的半导体基板上，该内金属介电层还包含多列分立的源极连接介层洞形成于其中，用以连接第一多晶硅层及双离子扩散的源极区；一第二金属层形成于n+半导体基板的背面作为漏极。本发明的双沟渠整流结构，消除了肖特基接触，使得反向漏电大大降低。

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