一种LED芯片、显示模块及显示屏

发明专利有效专利

申请号：
CN202010960392.1
IPC分类号：H01L33/14;H01L33/48;H01L33/62;H01L25/075;H01L27/15;G09F9/302;G09F9/33
申请日期：
2020-09-14
申请人：
东莞市中晶半导体科技有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种LED芯片、显示模块及显示屏
申请号	CN202010960392.1	申请日期	2020-09-14
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-12-08	公开/公告号	CN112054102A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/14 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/14 具有一个载流子传输控制结构，例如高掺杂半导体层或电流阻断结构〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;1;4;;;H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;6;2;;;H;0;1;L;2;5;/;0;7;5;;;H;0;1;L;2;7;/;1;5;;;G;0;9;F;9;/;3;0;2;;;G;0;9;F;9;/;3;3查看分类表>
申请人	东莞市中晶半导体科技有限公司	申请人地址	广东省东莞市企石镇科技工业园变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东莞市中晶半导体科技有限公司	当前权利人	东莞市中晶半导体科技有限公司
发明人	胡现芝;刘权锋;王印;卢敬权
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种LED芯片、显示模块及显示屏，LED芯片包括电流局域注入层，用于使有效发光区面积与LED芯片发光区面积的比值小于预设值；有效发光区位于LED芯片的中心，LED芯片发光区周围非电极区域的外延层根据有效发光区的形状塑形。通过设置电流局域注入层，以控制有效发光区面积与LED芯片发光区面积的比值小于预设值，以保证芯片发光亮度的同时使得LED芯片工作在线性区域；并且，有效发光区位于LED芯片的中心，LED芯片发光区周围非电极区域的外延层根据有效发光区的形状塑形，以使有效发光区尽可能地远离衬底边沿，从而减少LED芯片侧向出光，简化后端LED显示模块、显示屏应用的设计及工艺复杂性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供