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具有超分辨率近场结构的高密度记录介质

发明专利无效专利

申请号：
CN03822852.1
IPC分类号：G11B5/62
申请日期：
2003-09-24
申请人：
三星电子株式会社;独立行政法人产业技术总合研究所

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有超分辨率近场结构的高密度记录介质
申请号	CN03822852.1	申请日期	2003-09-24
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-10-19	公开/公告号	CN1685401
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11B5/62 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11B 基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储（以不需要通过换能器重现记录值的方式记录测量值的入G01D 9/00；利用有机械标记的带子，例如，穿孔纸带或利用单元记录卡，如穿孔卡片或具有磁性标记的卡片的记录或重现设备入G06K；将数据从记录载体的一种类型转移到另一种类型上的入G06K 1/18；将重放装置的输出耦合到无线电接收机上去的电路入H04B 1/20；唱机拾音器之类的声音机电传感器或为此所用的电路入H04R） G11B5/00 借助于记录载体的激磁或退磁进行记录的；用磁性方法进行重现的；为此所用的记录载体（G11B 11/00优先）〔4〕 G11B5/62 按所用材料选择区分的记录载体	IPC分类号	G;1;1;B;5;/;6;2查看分类表>
申请人	三星电子株式会社;独立行政法人产业技术总合研究所	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社,独立行政法人产业技术总合研究所	当前权利人	三星电子株式会社,独立行政法人产业技术总合研究所
发明人	金朱镐;富永淳二
代理机构	北京铭硕知识产权代理有限公司	代理人	郭鸿禧;韩素云

摘要

提供一种包括包含高熔点金属氧化物或氧化硅的掩蔽层的具有超分辨率近场结构的高密度记录介质。更具体地讲，提供一种具有超分辨率近场结构的高密度记录介质，其包括依次堆叠的第二电介质层、记录层、保护层、掩蔽层、第一电介质层和聚碳酸酯层，其中掩蔽层包括高熔点金属氧化物或氧化硅以通过光或热诱导高熔点金属氧化物或氧化硅的结晶结构和光学特性中的物理变化来产生近场。

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