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一种半导体外壳焊接方法及半导体外壳定位装架方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201811533003.6
  • IPC分类号:B23K1/008;B23K1/00
  • 申请日期:
    2018-12-14
  • 申请人:
    合肥中航天成电子科技有限公司;苏州中航天成电子科技有限公司
著录项信息
专利名称一种半导体外壳焊接方法及半导体外壳定位装架方法
申请号CN201811533003.6申请日期2018-12-14
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-04-09公开/公告号CN109590562A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B23K1/008IPC分类号B;2;3;K;1;/;0;0;8;;;B;2;3;K;1;/;0;0查看分类表>
申请人合肥中航天成电子科技有限公司;苏州中航天成电子科技有限公司申请人地址
安徽省合肥市高新区创新产业园二期J1楼C座403室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人合肥中航天成电子科技有限公司,苏州中航天成电子科技有限公司当前权利人合肥中航天成电子科技有限公司,苏州中航天成电子科技有限公司
发明人阚云辉;郭玉廷
代理机构重庆憨牛知识产权代理有限公司代理人梁金金
摘要
本发明公开了一种半导体外壳焊接方法及半导体外壳定位装架方法,其中,半导体外壳焊接方法包括以下步骤:步骤一:在陶瓷体上方装配封口环,使封口环与陶瓷体的金属化区面贴合;步骤二:准备侧置式焊料环;步骤三:将侧置式焊料环套装于封口环外部,侧置式焊料环与封口环贴近,同时,侧置式焊料环放置在陶瓷体上方;步骤四:在保护气氛环境下,利用扩散炉进行焊接,使侧置式焊料环熔化并填充在陶瓷体与封口环之间的狭缝中,进行焊接;本发明使封口环与陶瓷体的金属化区直接面贴合,使得两者之间的狭缝较小,因此,侧置式焊料环熔化后形成液态焊料填补狭缝的量较小,封口环被向上抬起的位移量非常少,使得封口环的平行度精度等级较高。

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