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在电极材料中标记缺陷的缺陷标记装置及方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210030550.9
  • IPC分类号:G01N21/89
  • 申请日期:
    2012-02-10
  • 申请人:
    三星SDI株式会社
著录项信息
专利名称在电极材料中标记缺陷的缺陷标记装置及方法
申请号CN201210030550.9申请日期2012-02-10
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-09-19公开/公告号CN102680485A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01N21/89IPC分类号G;0;1;N;2;1;/;8;9查看分类表>
申请人三星SDI株式会社申请人地址
韩国京畿道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三星SDI株式会社当前权利人三星SDI株式会社
发明人全笔句;李濬燮;崔在铭
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人张波
摘要
一种在用于二次电池的电极材料上标记缺陷的装置和方法,该装置包括:传送单元,以受控制的传送速度提供电极材料;缺陷检测单元,检测连续传送的电极材料上的缺陷;缺陷标记单元,在包括缺陷的缺陷区域上贴附标记标签;和集成控制单元,共同地控制供给单元和缺陷标记单元,由此存在于电极材料上的各种类型的缺陷被检测,且用于提供可视标签的标记标签贴附操作自动执行。

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