检测并测量静电荷的装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201010273882.0
IPC分类号：G01R29/24
申请日期：
2010-09-02
申请人：
米克罗杜尔有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	检测并测量静电荷的装置
申请号	CN201010273882.0	申请日期	2010-09-02
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2011-04-06	公开/公告号	CN102004195A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R29/24 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R29/00 不包括在G01R 19/00至G01R 27/00各组中的电量的测量或指示装置 G01R29/24 电荷电量的测量装置〔2〕	IPC分类号	G;0;1;R;2;9;/;2;4查看分类表>
申请人	米克罗杜尔有限公司	申请人地址	瑞士苏黎世变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	米克罗杜尔有限公司	当前权利人	米克罗杜尔有限公司
发明人	乔斯·索洛·德·萨尔迪瓦;菲利普·约翰·普尔
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	朱胜;李春晖

摘要

本发明提供了一种检测并测量静电荷的装置，所述装置(10)检测并测量位于距装置(10)的输入电极(11)距离(r.)处的对象(100)上的静电荷(q)，其包括至少一个MOS场晶体管(20)。输入电极(11)与MOS-FET(20)的栅电极(21)连接，以检测所述电荷。MOS-FET(20)可以包括在栅极(21)下面并且在源极(22)和漏极(23)区上面的栅氧化层，其具有足够厚度，以允许MOS场晶体管(20)经受住若干千伏(kV)的电压，并且避免由于在ESD事件期间的栅电极的高电势的隧道效应造成的电荷损失。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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