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提高抛光液循环利用率的方法及硅片抛光方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110910821.9
  • IPC分类号:C09G1/02;H01L21/306
  • 申请日期:
    2021-08-10
  • 申请人:
    万华化学集团电子材料有限公司;万华化学集团股份有限公司
著录项信息
专利名称提高抛光液循环利用率的方法及硅片抛光方法
申请号CN202110910821.9申请日期2021-08-10
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2021-10-26公开/公告号CN113549400A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C09G1/02IPC分类号C;0;9;G;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;6查看分类表>
申请人万华化学集团电子材料有限公司;万华化学集团股份有限公司申请人地址
山东省烟台市经济技术开发区北京中路50号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人万华化学集团电子材料有限公司,万华化学集团股份有限公司当前权利人万华化学集团电子材料有限公司,万华化学集团股份有限公司
发明人王庆伟;卞鹏程;崔晓坤;卫旻嵩;李国庆;徐贺;王瑞芹
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明公开了一种提高抛光液循环利用率的方法及硅片抛光方法,通过对待处理的抛光液中添加络合助剂、渗透剂、分散剂、pH值调节剂进行处理,实现抛光液多次循环利用的抛光效果。本发明可延长抛光液循环使用时间,总循环使用次数在30‑40次,且循环过程中硅片表面不易产生划伤,与抛光液未经处理直接循环使用相比,具有显著优势。

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