发光二极管芯片的封装结构及封装方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201711467868.2
IPC分类号：H01L33/62;H01L33/48
申请日期：
2017-12-29
申请人：
中芯长电半导体（江阴）有限公司

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著录项信息

专利名称	发光二极管芯片的封装结构及封装方法
申请号	CN201711467868.2	申请日期	2017-12-29
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2019-07-09	公开/公告号	CN109994593A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/62 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕 H01L33/62 向该半导体导入或自该半导体导出电流的装置，例如引线框架、焊线或焊球〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;6;2;;;H;0;1;L;3;3;/;4;8查看分类表>
申请人	中芯长电半导体（江阴）有限公司	申请人地址	江苏省无锡市江阴市长山大道78号（经营场所江阴市东盛西路9号）变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	盛合晶微半导体（江阴）有限公司	当前权利人	盛合晶微半导体（江阴）有限公司
发明人	蔡奇风;陈彦亨;林正忠;吴政达
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	罗泳文

摘要

本发明提供一种发光二极管芯片的封装结构及封装方法，包括：透明基底，具有引出焊盘；金属引线，连接于引出焊盘上，金属引线向上延伸；发光二极管芯片，装设于引出焊盘上，以实现发光二极管芯片的电性引出；荧光材料层，位于发光二极管芯片与透明基底之间；封装材料，覆盖于发光二极管芯片，且金属引线露出于封装材料；以及凸点下金属层及金属凸块，形成于封装材料上，以实现金属引线的电性引出。本发明的发光二极管芯片创新的采用扇出型封装结构，封装密度高，可有效降低封装体积。本发明具有良好的散热效果，可大大提高了芯片的耐用性能及寿命。本发明的引线结构简约，可有效缩短线路的长度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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