一种基于离散晶体的高能光子反应深度的定位方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410147982.7
IPC分类号：G01T1/202;G06F19/00
申请日期：
2014-04-14
申请人：
清华大学

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专利名称	一种基于离散晶体的高能光子反应深度的定位方法
申请号	CN201410147982.7	申请日期	2014-04-14
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-07-02	公开/公告号	CN103901463A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01T1/202 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01T 核辐射或X射线辐射的测量（材料的辐射分析，质谱测定法入G01N 23/00用以测定辐射或粒子的存在、强度、密度或能量的管入H01J 47/00） G01T1/00 X射线辐射、γ射线辐射、微粒子辐射或宇宙线辐射的测量（G01T 3/00，G01T 5/00优先）〔2〕 G01T1/16 辐射强度测量（G01T 1/29优先）〔2〕 G01T1/20 用闪烁探测器 G01T1/202 闪烁体是晶体的	IPC分类号	G;0;1;T;1;/;2;0;2;;;G;0;6;F;1;9;/;0;0查看分类表>
申请人	清华大学	申请人地址	北京市海淀区信箱82分箱清华大学专利办公室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学	当前权利人	清华大学
发明人	都东;石涵;彭旗宇;许剑锋
代理机构	北京鸿元知识产权代理有限公司	代理人	邸更岩

摘要

一种基于离散晶体的高能光子反应深度的定位方法，该方法利用离散晶体映射解码图中的反应深度信息，直接确定高能光子的反应深度，其包括如下步骤：a)标定高能光子反应深度与解码位置的对应关系；b)根据反应深度定位要求设定反应深度定位级别；c)根据反应深度级别确定反应深度分割边界；d)基于反应深度分割边界，由高能光子解码位置定位高能光子的反应深度。根据本发明的上述方法，通过建立反应深度与解码位置的对应关系和反应深度分割边界，不仅能有效解出高能光子反应深度信息，而且不需要传统方法中针对深度定位附加设计的复杂结构，节约成本，简单有效。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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