提高激光器量子阱载流子限制能力的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201510017017.2
IPC分类号：H01S5/34
申请日期：
2015-01-13
申请人：
中国科学院半导体研究所

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著录项信息

专利名称	提高激光器量子阱载流子限制能力的制备方法
申请号	CN201510017017.2	申请日期	2015-01-13
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2015-04-29	公开/公告号	CN104577712A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/34 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/30 激活区的结构或形状；用于激活区的材料〔7〕 H01S5/34 含有量子阱的或超晶格结构的，例如单量子阱激光器〔SQW-激光器〕、多量子阱激光器〔MQW-激光器〕，缓变折射率（光电）分别限制异质结构激光器〔GRINSCH-激光器〕（H01S5/36优先）〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;3;4查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	李翔;赵德刚;江德生;刘宗顺;陈平;朱建军
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	任岩

摘要

一种提高量子阱载流子限制能力的激光器的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在衬底上依次制作n型限制层、下波导层、下n型掺杂层、量子阱有源区、上n型掺杂层、上波导层、p型限制层和p型接触层；步骤2：将p型接触层和部分p型限制层采用湿法腐蚀或干法刻蚀的方法，制作成脊型；步骤3：采用光刻的方法在p型接触层的上表面制作p型欧姆电极；步骤4：将衬底减薄、清洗；步骤5：在衬底的背面制作n型欧姆电极，形成激光器；步骤6：进行解理，在激光器的腔面镀膜，最后封装在管壳上，完成制备。本发明可减小载流子的泄露，改善激光器性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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