多晶硅柱体及多晶硅晶片

发明专利无效专利

申请号：
CN201610729471.5
IPC分类号：C30B29/06;C30B28/06;H01L29/06
申请日期：
2016-08-26
申请人：
中美矽晶制品股份有限公司

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著录项信息

专利名称	多晶硅柱体及多晶硅晶片
申请号	CN201610729471.5	申请日期	2016-08-26
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2017-03-08	公开/公告号	CN106480499A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/02 元素〔3〕 C30B29/06 硅〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;0;6;;;C;3;0;B;2;8;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	中美矽晶制品股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市科学园区工业东二路8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中美矽晶制品股份有限公司	当前权利人	中美矽晶制品股份有限公司
发明人	杨承叡;林煌伟;杨瑜民;庄国伟;萧明恭;张元啸;王柏凯;余文怀;许松林;李依晴;徐文庆
代理机构	上海翼胜专利商标事务所（普通合伙）	代理人	翟羽

摘要

本发明公开一种多晶硅柱体及多晶硅晶片。多晶硅柱体包括数个硅晶粒，沿一长晶方向成长。在长晶方向上，硅晶粒的平均晶粒尺寸与多晶硅柱体的电阻率或氧含量具有相反的变化趋势，且与多晶硅柱体的缺陷面积占比具有相同的变化趋势。多晶硅柱体的整体平均缺陷面积占比小于或等于2.5％。多晶硅晶片的碳含量大于4ppma，且其电阻率大于或等于1.55欧姆‑厘米、氧含量大于或等于5.5ppma。

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