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晶体氧化物薄膜、层叠体以及薄膜晶体管

发明专利有效专利

申请号：
CN202080023273.1
IPC分类号：C23C14/08;C30B29/22;H01L29/786
申请日期：
2020-03-26
申请人：
出光兴产株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	晶体氧化物薄膜、层叠体以及薄膜晶体管
申请号	CN202080023273.1	申请日期	2020-03-26
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-05	公开/公告号	CN113614276A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/08 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/06 以镀层材料为特征的（C23C 14/04优先）〔4〕 C23C14/08 氧化物（C23C 14/10优先）〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;0;8;;;C;3;0;B;2;9;/;2;2;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;6查看分类表>
申请人	出光兴产株式会社	申请人地址	日本国东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	出光兴产株式会社	当前权利人	出光兴产株式会社
发明人	川岛绘美;井上一吉;大山正嗣;柴田雅敏
代理机构	上海立群专利代理事务所（普通合伙）	代理人	陈亦欧;毛立群

摘要

本发明涉及一种晶体氧化物薄膜，其包含In元素、Ga元素以及Ln元素，In元素为主成分，Ln元素是从La、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu构成的组中选择的一种以上的元素，平均晶体粒径D1为0.05μm以上、0.5μm以下。

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